Abstract:
В данной работе представлены и обсуждены результаты ab initio расчетов релаксации поверхностей слэбов, перераспределения зарядов для различных поверхностей кристалла фторида магния. Для расчетов использовался компьютерный программный код CRYSTAL с установленным базисом Гауссиан и гибридным обменно-корреляционным
функционалом B3PW. Несмотря на ионную природу химических связей обоих поверхностей, наблюдается значительное уменьшение оптической запрещенной зоны (1,3 эВ или 10 %) как и было предсказано для поверхности (111) по сравнению с объемом.
