Abstract:
Использование нанокомпозитных материалов на основе кремния является перспективным направлением развития современной микро- и наноэлектроники. При этом особый интерес проявляется к структурам, которые представляют собой диэлектрические пленки двуокиси кремния, в объеме которых сформированы нанокластеры кремния. Такие структуры могут быть использованы, например, в качестве основы для создания микросхем памяти и элементов интегральной оптоэлектроники. Несмотря на большое количество публикаций, связанных с исследованием подобных структур, не выработано общей концепции понимания взаимосвязи различных свойств системы Si/SiO2 c нановключениями кремния с их технологическими режимами изготовления.
