ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ ПО ФОРМИРОВАНИЮ ЭЛЕКТРОДНЫХ ПРОВОДНИКОВ ИЗ РАЗЛИЧНЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ МЕМРИСТОРНЫХ ЯЧЕЕК

Abstract

В статье представлен обзор актуальных вопросов в области электронных технологий, обусловленных увеличением объема данных и приближением традиционных транзисторных технологий к своим физическим пределам. Отражена необходимость разработки новых, более эффективных вычислительных систем, способных соответствовать требованиям в будущем. Объектом исследования является технология создания мемристоров на основе оксида никеля. Представлены результаты, посвященные разработке технологического маршрута для получения мемристоров с использованием имеющегося в наличии оборудования. В частности, были отработаны методика и технология изготовления электродов на основе меди (Cu/NiOx/Cu), серебра (Ag/NiOx/Ag) осаждением в вакууме. Представлены результаты проектирования и расчета геометрических параметров масок для термического напыления электродов. Установлены результаты по определению параметров (давление, ток накала испарителя, время накала) вакуумного поста. На основании расчета и дополнительных экспериментов получены оптимальные параметры (расстояние, угол наклона, масса напыляемого вещества) для взаимного расположения подложки относительно испарителя.