Показать сокращенную информацию

dc.contributor.authorUsseinov, Abay
dc.contributor.authorKoishybayeva, Zhanymgul
dc.contributor.authorPlatonenko, Alexander
dc.contributor.authorPankratov, Vladimir
dc.contributor.authorSuchikova, Yana
dc.contributor.authorAkilbekov, Abdirash
dc.contributor.authorZdorovets, Maxim
dc.contributor.authorPurans, Juris
dc.contributor.authorPopov, Anatoli I.
dc.date.accessioned2025-01-08T07:00:31Z
dc.date.available2025-01-08T07:00:31Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationUsseinov, A.; Koishybayeva, Z.; Platonenko, A.; Pankratov, V.; Suchikova, Y.; Akilbekov, A.; Zdorovets, M.; Purans, J.; Popov, A.I. Vacancy Defects in Ga2O3: First-Principles Calculations of Electronic Structure. Materials 2021, 14, 7384. https://doi.org/10.3390/ ma14237384ru
dc.identifier.issn1996-1944
dc.identifier.otherdoi.org/10.3390/ ma14237384
dc.identifier.urihttp://rep.enu.kz/handle/enu/20696
dc.language.isoenru
dc.publisherMaterialsru
dc.relation.ispartofseries14, 7384;
dc.subjectDFTru
dc.subjectβ-Ga2O3ru
dc.subjectoxygen vacancyru
dc.subjectdeep donorru
dc.subjectp-type conductivityru
dc.subjectpoint defectsru
dc.titleVacancy Defects in Ga2O3: First-Principles Calculations of Electronic Structureru
dc.typeArticleru


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию