Показать сокращенную информацию

dc.contributor.authorАралбаева, Г.М.
dc.contributor.authorСейтбаев, А.
dc.date.accessioned2025-03-19T06:02:50Z
dc.date.available2025-03-19T06:02:50Z
dc.date.issued2017-04-14
dc.identifier.isbn978-9965-31-827-6
dc.identifier.urihttp://repository.enu.kz/handle/enu/22707
dc.description.abstractВ настоящем работе предлагается изменения структуры поверхности в кристаллах TiO2, облученного ионами 167 МэВ Xe до флюенсов (2х1010см-2 и 2х1014см-2 ) и ионами Bi 1 ГэВ до флюенса (2х1010 см-2 ), температура облучения комнатная. Исследования проводились с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Проведен анализ зависимости морфологии латентных треков и наноструктур на поверхности от уровня удельных ионизационных потерь энергии, поглощенной энергии (флюенса).ru
dc.language.isootherru
dc.publisherЛ.Н.Гумилев атындағы ЕҰУru
dc.subjectЛатентный трекru
dc.subjectхиллоки, быстрые тяжелые ионыru
dc.subjectаморфизацияru
dc.subjectэнергетические потери ионаru
dc.subjectрадиус трековru
dc.subjectдлина пробега ионаru
dc.titleИССЛЕДОВАНИЕ ЛАТЕНТНЫХ ТРЕКОВ В ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ КРИСТАЛЛОВ TIO2 ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ ОСКОЛКОВ ДЕЛЕНИЯru
dc.typeArticleru


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию