Разработка и исследование нанокомпозитных материалов на основе трекового темплэйта SiO2/Si

Abstract

В настоящей работе представлены результаты по исследованию нанокластеров, полученных при электрохимическом осаждении цинкав трековые темплэйт a − SiO2/Si − n . Поверхность осажденных образцов исследовалась с помощью сканирущего электронного микроскопа JSM 7500F. Рентгеноструктурный анализ образцов проводился на рентгеновском дифрактометре D8 ADVANCE ECO с использованием рентгеновской трубки с Cu- анодом в диапазоне углов 2θ 30 ◦ -110 ◦ с шагом 0.01 ◦ . Для идентификации фаз и исследования кристаллической структуры использовалось программное обеспечение BrukerAXSDIFFRAC.EVAv.4.2 и международная база данных ICDD PDF-2. При электрохимическом осаждении цинка в трековый темплэйт a − SiO2/Si − n были получены нанокристаллы оксида цинка в трех кристаллических фазах: вюрцит, сфалерит и структура каменной соли. Следует отметить, что вид структуры зависит от приложенного к электродам напряжения. Установлен оптимальный режим ЭХО, с получением наиболее распространенной фазы ZnO, вюрцит.