• Уровни зарядового перехода акцепторных примесей в кристаллах ZnO. Расчеты из первых принципов 

      Ыбыраев, Н.С.; Усеинов, А.Б.; Акылбеков, А.Т.; Здоровец, М.В.; Дукенов, А.Б.; Оралбеков, Н.Б. (ЕНУ им. Л.Н. Гумилева, 2018)
      в работе проведены ab-initio расчеты уровней перехода зарядового состояния примесных дефектов азота и фосфора в оксиде цинка в приближении линейных комбинации атомных орбиталей (ЛКАО) с использованием программы CRYSTAL09. Показано, что при высокой концентрации дефектов (близком расположении дефектов) наблюдается недооценка энергии образования в связи со значительной делокализацией ...
      2023-08-14