Изучение применимости модели неупругого термического пика для описания механизма трекообразования в Si3N4

Abstract

Настоящая работа посвящена изучению применимости модели неупругого термического пика для описания процесса трекообразования в нитриде кремния, облученном высокоэнергетическими тяжелыми ионами. Проведено моделирование взаимодействия налетающих ионов и атомов материала с помощью программы i-TS с использованием трех коэффициентов электрон - фононного взаимодействия λ =3, 4,3 и 4,8 нм. Показано, что экспериментальные значения размеров треков сильно отличаются от теоретических как для кристаллического, так и для аморфного Si 3 N 4 , что говорит о неприменимости данного подхода для описания экспериментальных результатов в нитриде кремния.