К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4
Аннотации
Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных
потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на
основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы
Si 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности
(6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2
соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов
в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.