Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами
Аннотации
В данной статье исследованы конденсаторы с диэлектриками из кремния
и арсенида галия, облученные нейтронами. Проанализировано возможное влияние разных
типов контактов (металл – полупроводник) на емкость конденсаторов. Показано, что
компенсированные радиационными дефектами слои GaAs могут применяться в качестве
изоляции элементов интегральных схем.