Показать сокращенную информацию
Влияние температуры и способов осаждения на структурные свойства нанокристаллов CdTe
| dc.contributor.author | Балахаева, Р.К. | |
| dc.contributor.author | Карим, К.Б. | |
| dc.contributor.author | Акилбеков, А.Т. | |
| dc.contributor.author | Баймуханов, З.К. | |
| dc.contributor.author | Гиниятова, Ш.Г. | |
| dc.contributor.author | Байжуманов, М.Ж. | |
| dc.contributor.author | Даулетбекова, А.К. | |
| dc.date.accessioned | 2023-08-15T06:18:25Z | |
| dc.date.available | 2023-08-15T06:18:25Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.issn | 2616-6836 | |
| dc.identifier.uri | http://rep.enu.kz/handle/enu/4847 | |
| dc.description.abstract | Рассмотрено формирование нанокристаллов теллурида кадмия из сульфатного и хлоридного растворов методом электрохимического и химического осаждения в трековый темплэйт а-SiO 2 /Si-n. Установлено, что после химического осаждения в сульфатном растворе в нанопорах темплэйта образуются нанокристаллы CdTe с кубической кристаллической структурой. При увеличении температуры раствора результаты рентгеноструктурного анализа показали, что формируются нанокристаллы CdO с гексагональной структурой. Исследование вольт-амперной характеристики структуры с монофазой CdO позволило оценить количество межзеренных границ, высоту потенциального барьера и проводимость – n-типа. | ru |
| dc.language.iso | other | ru |
| dc.publisher | ЕНУ им. Л.Н. Гумилева | ru |
| dc.subject | нанокристаллы CdTe | ru |
| dc.subject | нанокристаллы CdO | ru |
| dc.subject | трековый темплейт SiO 2 /Si | ru |
| dc.subject | электрохимическое осаждение | ru |
| dc.subject | химическое осаждение | ru |
| dc.subject | межзеренные границы | ru |
| dc.title | Влияние температуры и способов осаждения на структурные свойства нанокристаллов CdTe | ru |
| dc.type | Article | ru |
