Исследование кислородной вакансии «из первых принципов» оксида галлия ( β -Ga2O3 )

Abstract

оксид галлия β -Ga 2 O 3 представляет собой перспективный материал в оптоэлектронике и радиационном детектирований. Несмотря на большой спектр проведенных исследований, важной задачей исследования является влияние и роль собственных дефектов на электронные свойства кристалла.В данной работе приведены расчеты энергии образования и уровни переходов зарядового состояния кислородных вакансий в кристалле β -Ga 2 O 3 с использованием гибридного обменно-корреляционного функционала B3LYP и приближения линейных комбинаций атомных орбиталей. Как результат, образование вакансии кислорода в β -Ga 2 O 3 приводит к наличию глубоких донорных уровней, вследствие чего было сделано предположение, что образование кислородных вакансийне играет существенной роли в проводимости n-типа в кристаллах β -Ga2O3 .