СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПЬЕЗОСПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ РАМАНОВСКИХ СПЕТКРОВ В SI3N4, ALN И 4H-SIC ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ BI.

Abstract

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света были исследованы профили рамановских спектров в монокристаллическом карбиде кремния, а так же в поликристаллических нитридах кремния и алюминия, облученные ионами Bi с энергиями 670 МэВ и 710 МэВ. Полученный результат свидетельствует о низком уровне остаточных механических напряжений в приповерхностном слое монокристалла 4H-SiC, а так же подтверждает высокую радиационную стойкость монокристалла 4H-SiC и нитрида алюминия (AlN), в сравнении с поликристаллическим нитридом кремния (β-Si3N4). Данный эффект объясняется разной структурной чувствительностью керамик к воздействию облучения тяжелыми ионами – образованием аморфных треков в β-Si3N4 и их отсутствием в поликристаллическом AlN и в монокристалле 4H-SiC.