Дислокационный механизм затухания люминесценции
Аннотации
Изучены зависимости нанотвердости и фотолюминесценции F2 и
F+3 центров от глубины в кристаллах LiF, облученных ионами 12 МэВ 12 С, 56
МэВ 40 Ar и 34 МэВ 84 Kr при флюенсах 1010 − 1015 ион/см 2
, с использованием лазерной сканирующей конфокальной микроскопии, травления дислокаций и методом
наноиндентирования. Измерения нанотвердости и данные травления дислокаций показали
значительный эффект упрочненения и повышенную концентрацию дислокаций и других
нанодефектов в области конца ионного пробега с доминирующим вкладом дефектов,
образованных механизмом упругих столкновений. Наблюдаемое затухание интенсивности люминесценции при высоких флюенсах связано с интенсивным зарождением дислокаций в качестве ловушек для агрегатных центров окраски. Предложена активирующая роль локального поля напряжений дислокаций и других протяженных дефектов в эволюции структуры повреждений.