Дислокационный механизм затухания люминесценции

Abstract

Изучены зависимости нанотвердости и фотолюминесценции F2 и F+3 центров от глубины в кристаллах LiF, облученных ионами 12 МэВ 12 С, 56 МэВ 40 Ar и 34 МэВ 84 Kr при флюенсах 1010 − 1015 ион/см 2 , с использованием лазерной сканирующей конфокальной микроскопии, травления дислокаций и методом наноиндентирования. Измерения нанотвердости и данные травления дислокаций показали значительный эффект упрочненения и повышенную концентрацию дислокаций и других нанодефектов в области конца ионного пробега с доминирующим вкладом дефектов, образованных механизмом упругих столкновений. Наблюдаемое затухание интенсивности люминесценции при высоких флюенсах связано с интенсивным зарождением дислокаций в качестве ловушек для агрегатных центров окраски. Предложена активирующая роль локального поля напряжений дислокаций и других протяженных дефектов в эволюции структуры повреждений.