Исследована температурная зависимость высоты хиллоков на поверхности кристаллов Ti O2 . Облучение проводилось на монокристаллическом кристалле рутила Ti O2 с поверхностью облучения [110] с использованием ионов ксенона с энергией 220 МэВ до флюенса 5* 1010 ион/см 2 . Облучения проводились при температурах 80 К и 1000 К. Экспериментально было обнаружено, что средняя высота ...