Создание нанокластеров CdTe в трековых темплэйтах SiO 2 /Si с использованием двух типов электролита

Abstract

В настоящей работе представлены результаты по исследованию нанокластеров CdTe, полученных при электрохимическом осаждении с использованием сульфатного и хлоридного растворов. В качестве нанопористых шаблонов использовались трековые темплейты SiO 2 /Si. Трековый темплэйт а-SiO 2 /Si-n был получен облучением ионами ксенона с энергией 200 МэВ, с флюенсами 10 7 –10 8 ионов/см 2 . Поверхность осажденных образцов исследовались с помощью сканирующего электронного микроскопа JSM 7500F. Для идентификации кристаллической структуры нанокластеров CdTe был выполнен рентгеноструктурный анализ. Нанокристаллы теллурида кадмия гексагональной фазы (вюрцит) формируются совместно с аморфной фазой. Расчеты размеров кристаллитов показали, что после отжига образцов СdTe при температуре 100 ◦ C приводит к изменениям нанористаллитов и увелечению степени кристалличности с доминированием аморфной фазы.