Показать сокращенную информацию
К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4
| dc.contributor.author | Ибраева, А.Д. | |
| dc.contributor.author | Янсе Ван Вуурен, А. | |
| dc.contributor.author | Скуратов, В.А. | |
| dc.contributor.author | Здоровец, М.В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-08-15T04:23:00Z | |
| dc.date.available | 2023-08-15T04:23:00Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.issn | 2616-6836 | |
| dc.identifier.uri | http://rep.enu.kz/handle/enu/4827 | |
| dc.description.abstract | Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы Si 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм. | ru |
| dc.language.iso | other | ru |
| dc.publisher | ЕНУ им. Л.Н. Гумилева | ru |
| dc.subject | нитрид кремния | ru |
| dc.subject | быстрые тяжелые ионы | ru |
| dc.subject | латентные треки | ru |
| dc.subject | аморфизация | ru |
| dc.subject | ПЭМ | ru |
| dc.title | К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4 | ru |
| dc.type | Article | ru |
