Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами

Русакова, А.В.; Акилбеков, А.Т.; Жунусова, М.К.

dc.contributor.author	Русакова, А.В.
dc.contributor.author	Акилбеков, А.Т.
dc.contributor.author	Жунусова, М.К.
dc.date.accessioned	2023-08-15T04:26:37Z
dc.date.available	2023-08-15T04:26:37Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.issn	2616-6836
dc.identifier.uri	http://rep.enu.kz/handle/enu/4828
dc.description.abstract	В данной статье исследованы конденсаторы с диэлектриками из кремния и арсенида галия, облученные нейтронами. Проанализировано возможное влияние разных типов контактов (металл – полупроводник) на емкость конденсаторов. Показано, что компенсированные радиационными дефектами слои GaAs могут применяться в качестве изоляции элементов интегральных схем.	ru
dc.language.iso	other	ru
dc.publisher	ЕНУ им. Л.Н. Гумилева	ru
dc.subject	арсенид галлия	ru
dc.subject	радиационные дефекты	ru
dc.subject	обкладки конденсатора	ru
dc.subject	p-n переход	ru
dc.title	Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами	ru
dc.type	Article	ru