Радиационные повреждения, вызванные быстрыми тяжелыми ионами кристаллов MgO

Abstract

По спектрам радиационно-индуцированного оптического поглощения исследовано накопление структурных дефектов F-типа для монокристаллов MgO, облученных при комнатной температуре ионами 132Xe с энергией 0.23 ГэВ в диапазоне флюенсов Ф = 5x10 11 – 3.3x10 14 ион/см 2 . По формуле Смакулы были оценены концентрации дефектов Fтипа в кристаллах MgO, а также их зависимость от флюенса облучения. Измерены также спектры возбуждения для люминесценции F + и F-центров. Проведен анализ радиационноиндуцированных изменений микромеханических свойств облученных образцов, а также зависимости профиля твердости от глубины в кристаллах MgO с потерями энергии ионов Xe. Рассмотрен совместный вклад механизмов ионизации и упругого соударения в формировании центров F-типа и сложных дефектов при облучении кристаллов MgO быстрыми тяжелыми ионами.