оксид галлия β -Ga 2 O 3 представляет собой перспективный материал в оптоэлектронике и радиационном детектирований. Несмотря на большой спектр проведенных исследований, важной задачей исследования является влияние и роль собственных дефектов на электронные свойства кристалла.В данной работе приведены расчеты энергии образования и уровни переходов зарядового состояния кислородных ...