Репозиторий Dspace

ПросмотрФизико-технический факультет по теме "Amorphous SiO2 layer"

ПросмотрФизико-технический факультет по теме "Amorphous SiO2 layer"

Отсортировать по:Порядку:Результатам:

  • Al’zhanova, A.; Dauletbekova, A.; Komarov, F.; Vlasukova, L.; Yuvchenko, V.; Akilbekov, A.; Zdorovets, M. (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2016)
    The process of latent track etching in SiO2/Si structures irradiated with 40Ar (38 MeV), 84Kr (59 MeV) and 132Xe (133 and 200 MeV) ions has been investigated. The experimental results of SiO2 etching in a hydrofluoric acid ...

Поиск в DSpace


Просмотр

Моя учетная запись