Abstract:
В статье представлен обзор актуальных вопросов в области электронных
технологий, обусловленных увеличением объема данных и приближением традиционных
транзисторных технологий к своим физическим пределам. Отражена необходимость
разработки новых, более эффективных вычислительных систем, способных соответствовать
требованиям в будущем.
Объектом исследования является технология создания мемристоров на основе оксида
никеля. Представлены результаты, посвященные разработке технологического маршрута для
получения мемристоров с использованием имеющегося в наличии оборудования. В частности, были отработаны методика и технология изготовления электродов на основе меди
(Cu/NiOx/Cu), серебра (Ag/NiOx/Ag) осаждением в вакууме.
Представлены результаты проектирования и расчета геометрических параметров масок
для термического напыления электродов. Установлены результаты по определению
параметров (давление, ток накала испарителя, время накала) вакуумного поста. На основании
расчета и дополнительных экспериментов получены оптимальные параметры (расстояние,
угол наклона, масса напыляемого вещества) для взаимного расположения подложки
относительно испарителя.
