Показать сокращенную информацию

Vacancy Defects in Ga2O3: First-Principles Calculations of Electronic Structure

dc.contributor.authorUsseinov, Abay
dc.contributor.authorKoishybayeva, Zhanymgul
dc.contributor.authorPlatonenko, Alexander
dc.contributor.authorPankratov, Vladimir
dc.contributor.authorSuchikova, Yana
dc.contributor.authorAkilbekov, Abdirash
dc.contributor.authorZdorovets, Maxim
dc.contributor.authorPurans, Juris
dc.contributor.authorPopov, Anatoli I.
dc.date.accessioned2025-01-27T12:49:34Z
dc.date.available2025-01-27T12:49:34Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.issn1996-1944
dc.identifier.otherdoi.org/10.3390/ ma14237384
dc.identifier.urihttp://rep.enu.kz/handle/enu/21225
dc.language.isoenru
dc.publisherMaterialsru
dc.subjectDFTru
dc.subjectβ-Ga2O3ru
dc.subjectoxygen vacancyru
dc.subjectdeep donorru
dc.subjectp-type conductivityru
dc.subjectpoint defectsru
dc.titleVacancy Defects in Ga2O3: First-Principles Calculations of Electronic Structureru
dc.typeArticleru


Файлы в этом документе

Thumbnail
Имя:
Vacancy Defects in Ga2O3.pdf
Размер:
1.539Mb
Формат:
PDF
Открыть

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию