Abstract:
В настоящем работе предлагается изменения структуры поверхности в кристаллах
TiO2, облученного ионами 167 МэВ Xe до флюенсов (2х1010см-2
и 2х1014см-2
) и ионами Bi 1
ГэВ до флюенса (2х1010 см-2
), температура облучения комнатная. Исследования проводились
с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Проведен анализ
зависимости морфологии латентных треков и наноструктур на поверхности от уровня
удельных ионизационных потерь энергии, поглощенной энергии (флюенса).
