Abstract:
В настоящей работе представлены результаты по исследованию нанокластеров,
полученных при электрохимическом осаждении цинкав трековые темплэйт a − SiO2/Si −
n . Поверхность осажденных образцов исследовалась с помощью сканирущего электронного
микроскопа JSM 7500F. Рентгеноструктурный анализ образцов проводился на рентгеновском
дифрактометре D8 ADVANCE ECO с использованием рентгеновской трубки с Cu- анодом в
диапазоне углов 2θ 30 ◦
-110 ◦
с шагом 0.01 ◦
.
Для идентификации фаз и исследования кристаллической структуры использовалось
программное обеспечение BrukerAXSDIFFRAC.EVAv.4.2 и международная база данных ICDD
PDF-2. При электрохимическом осаждении цинка в трековый темплэйт a − SiO2/Si − n были получены нанокристаллы оксида цинка в трех кристаллических фазах: вюрцит, сфалерит и структура каменной соли. Следует отметить, что вид структуры зависит от приложенного к электродам напряжения. Установлен оптимальный режим ЭХО, с получением наиболее распространенной фазы ZnO, вюрцит.
